Технические параметры
|
Малое напряжение смещения |
10мкВ |
Малый дрейф напряжение смещения |
0,2мкВ/°С |
Высокая скорость нарастания сигнала |
2,8В/мкс |
Низкий уровень шумов |
80нВ (пик-пик), 3нВ/√Гц |
Высокое значение коэффициента передачи |
1800В/мВ |
Широкий диапазон изменения величины питающего напряжения |
±4,5В ... ±22В |
Широкий диапазон выходных сигналов |
±11В |
Промышленный диапазон температур |
-40 ... +850C |
Заменяют собой OP07, uA725 и прочие прецизионные ОУ |
Корпуса
8-выводные
| TO-99, DIP-8, SOIC-8 |
Информация для заказа:
|
ТИП |
Температурный диапазон |
Корпус |
Вариант корпуса |
OP27AJ/883C |
-550C ... +1250C |
ТО-99 8-контактный, металл
|
H-08 (суффикс-J) |
OP27GJ |
-400C ... +850C |
ТО-99 8-контактный, металл
|
H-08 (суффикс-J) |
OP27AZ |
-550C ... +1250C |
CERDIP 8-контактный, керамика |
Q-8 (суффикс-Z) |
OP27AZ/883C |
-550C ... +1250C |
CERDIP 8-контактный, керамика |
Q-8 (суффикс-Z) |
OP27EZ |
-250C ... +850C |
CERDIP 8-контактный, керамика |
Q-8 (суффикс-Z) |
OP27GZ |
-400C ... +850C |
CERDIP 8-контактный, керамика |
Q-8 (суффикс-Z) |
OP27EP |
0 ... +700C |
PDIP-8 8-контактный, пластик |
N-8 (суффикс-P) |
OP27EPZ |
0 ... +700C |
PDIP-8 8-контактный, пластик |
N-8 (суффикс-P) |
OP27GP |
-400C ... +850C |
PDIP-8 8-контактный, пластик |
N-8 (суффикс-P) |
OP27GPZ |
-400C ... +850C |
PDIP-8 8-контактный, пластик |
N-8 (суффикс-P) |
OP27GS |
-400C ... +850C |
SOIC-8 8-контактный |
R-8 (суффикс-S) |
OP27GS-REEL |
-400C ... +850C |
SOIC-8 8-контактный |
R-8 (суффикс-S) |
OP27GS-REEL7 |
-400C ... +850C |
SOIC-8 8-контактный |
R-8 (суффикс-S) |
OP27GSZ |
-400C ... +850C |
SOIC-8 8-контактный |
R-8 (суффикс-S) |
OP27GSZ-REEL |
-400C ... +850C |
SOIC-8 8-контактный |
R-8 (суффикс-S) |
OP27GSZ-REEL7 |
-400C ... +850C |
SOIC-8 8-контактный |
R-8 (суффикс-S) |
OP27NBC |
-400C ... +850C |
кристалл на подложке |
|